KSC443G70SHLFG 时间：2025/12/25 8:36:45 阅读：24

KSC443G70SHLFG是一款由Korea Semiconductor（韩国半导体公司）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及工业电源系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：120A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大7.0mΩ（典型值5.5mΩ）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　技术：沟槽式功率MOSFET
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

KSC443G70SHLFG具有多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率，适用于高功率密度设计。该MOSFET采用先进的沟槽式结构，优化了电场分布，增强了器件的耐压能力和稳定性。其高电流承载能力（最大漏极电流可达120A）使其适用于高功率应用场景，如服务器电源、通信设备和工业电机控制。
　　此外，该器件具备良好的热性能，TO-263封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定工作。KSC443G70SHLFG的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V~20V），便于与各类驱动IC配合使用，适用于同步整流、Buck/Boost转换器、负载开关等电路。
　　在可靠性方面，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过压和过流冲击，适用于恶劣工作环境。同时，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）确保在极端温度条件下仍能正常运行，适用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的应用领域。

应用

KSC443G70SHLFG主要应用于高效率电源系统中，包括但不限于：服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化控制系统等。其优异的导通特性和高可靠性使其成为高性能电源设计中的理想选择，尤其适用于需要高效率、高功率密度和稳定性能的电源模块。