时间：2025/5/6 13:14:28
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CSD87333Q3D 是一款来自德州仪器（TI）的 NexFET 功率 MOSFET，采用 8x8 QFN 封装。该器件专为高效能电源应用设计，能够提供低导通电阻和快速开关性能，从而提高整体效率并减少功率损耗。
该产品适用于多种电源管理场景，如 DC-DC 转换器、负载点转换器（POL）、电信和网络电源系统等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（典型值）：46nC
开关速度：高
封装类型：QFN-8x8
工作温度范围：-55℃至150℃
CSD87333Q3D 提供了出色的电气性能，其主要特点如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动下仅为 1.4mΩ，可显著降低传导损耗。
2. 高效的热性能优化设计，有助于在高电流应用场景中保持较低的工作温度。
3. 快速开关特性，具备低栅极电荷与输出电荷，适合高频操作。
4. 强固的结构设计，支持高达 29A 的连续漏极电流，适用于大功率密度应用。
5. 具备优异的短路耐受能力，增强系统可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
CSD87333Q3D 主要应用于以下领域：
1. 服务器和电信设备中的负载点 (POL) 转换器。
2. 高效同步降压转换器，特别是需要处理大电流的应用。
3. 工业电机控制及驱动电路。
4. 汽车电子系统的电源管理模块。
5. 数据中心电源供应单元 (PSU)。
6. 各种高性能计算平台的供电解决方案。
CSD87332Q5D, CSD87385Q5D
