型号：WST3325
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：160A（在TC=25°C条件下）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.3mΩ（在VGS=10V时）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.8V，范围1.4V~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值9500pF
　　输出电容（Coss）：典型值2200pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功耗（PD）：250W（在TC=25°C条件下）

WST3325的最显著特性之一是其极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为2.3mΩ，这一参数使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升整体系统效率。低RDS(on)得益于其采用的先进沟槽栅极结构和优化的硅晶圆工艺，有效增加了载流子迁移率并减少了沟道电阻。同时，该器件具有较高的电流承载能力，在TC=25°C条件下可支持高达160A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计场景。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。WST3325的输入电容Ciss约为9500pF，输出电容Coss为2200pF，这些电容参数经过优化，使得器件在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的响应能力。其反向恢复时间trr典型值为25ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，有助于减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于同步整流和桥式电路等对开关速度要求较高的拓扑结构。
　　热稳定性方面，WST3325可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，具备良好的高温可靠性。其TO-252封装不仅便于安装于散热片上，还提供了优良的热传导路径，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。此外，该器件的栅极耐压可达±20V，增强了对异常电压冲击的抵御能力，提升了系统的鲁棒性。综合来看，WST3325在导通损耗、开关速度、热管理和可靠性等方面均表现出色，是一款适用于多种高效率电源转换应用的理想选择。

WST3325主要应用于需要高效率、大电流开关能力的电力电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作主开关管或同步整流管，特别是在低压大电流输出的Buck变换器中表现优异，例如服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，能够显著降低功率损耗，提高转换效率，满足现代电子产品对能效日益严格的要求。
　　在电机驱动领域，WST3325可用于直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件。其快速的开关响应和良好的热稳定性确保了电机运行的平稳性和控制精度，广泛应用于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）、工业自动化设备等场合。此外，在电池管理系统（BMS）和锂电池保护板中，WST3325也常作为充放电控制开关使用，利用其低RDS(on)特性减少电池内阻带来的压降和发热问题，延长电池使用寿命。
　　该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各类开关模式电源（SMPS）中。在这些应用中，WST3325的高可靠性和抗冲击能力使其能够承受频繁的开关应力和瞬态过流情况。同时，其符合RoHS标准的环保特性也使其适用于出口型电子产品和绿色能源设备。总体而言，WST3325凭借其高性能参数和稳定的制造工艺，在消费电子、工业控制、汽车电子（非车规级）等多个领域均有广泛应用前景。

AP3206GC-HF
　　SGM2306XKBR
　　AON6260