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IXTH24N50MA 发布时间 时间:2025/8/5 18:37:21 查看 阅读:9

IXTH24N50MA是一款由Littelfuse(原IXYS公司)生产的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、高电流的应用设计。该器件适用于需要高效率和高性能的功率转换系统,如电源供应器、电机控制、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)系统以及工业自动化设备。IXTH24N50MA采用了先进的MOSFET制造技术,提供了低导通电阻和快速开关性能,同时具备较高的热稳定性和耐用性。其TO-264封装形式确保了良好的散热性能,适合在高温环境下运行。

参数

最大漏源电压(Vds):500V
  最大漏极电流(Id):24A(Tc=25℃)
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):约0.15Ω(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  最大功耗(Pd):200W
  封装形式:TO-264

特性

IXTH24N50MA具备多项优异特性,适用于高要求的功率电子应用。其主要特性包括:
  1. **高电压耐受能力**:该MOSFET的最大漏源电压为500V,使其能够稳定工作在高压系统中,如工业电源和电机驱动器。这种高耐压能力减少了因电压峰值引起的失效风险,提高了系统的可靠性。
  2. **低导通电阻(Rds(on))**:典型导通电阻为0.15Ω,显著降低了在高电流下的导通损耗,从而提高了整体系统的效率。这对于需要长时间高负载运行的电源系统尤为重要。
  3. **快速开关特性**:该MOSFET具备快速的开关速度,能够减少开关损耗,提高系统的工作频率,适用于高频变换器和逆变器等应用。
  4. **高热稳定性与散热能力**:采用TO-264封装,具有良好的散热性能,能够有效传导和分散工作过程中产生的热量,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  5. **过载与短路保护**:该器件设计有内置的过载和短路保护机制,能够在异常工作条件下防止损坏,从而延长器件的使用寿命并提高系统的安全性。
  6. **宽工作温度范围**:支持-55℃至+150℃的工作温度范围,适应各种恶劣环境,包括高温工业环境和低温户外设备。

应用

IXTH24N50MA广泛应用于多个高功率电子系统中,包括:
  1. **电源供应器**:在高功率开关电源(SMPS)中,作为主开关器件,用于实现高效率和小体积的设计。
  2. **电机控制**:适用于工业电机驱动系统,作为功率开关,实现对电机的精确控制和高效能运行。
  3. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)和降压(Buck)转换器中使用,提高能量转换效率,适用于新能源系统和电动汽车充电设备。
  4. **不间断电源(UPS)**:在UPS系统中作为主功率开关,确保电力中断时的无缝切换和持续供电。
  5. **光伏逆变器**:用于太阳能发电系统中的逆变器设计,将直流电转换为交流电,供家庭或电网使用。
  6. **焊接设备与电镀设备**:在需要高电流和高电压控制的工业设备中提供稳定可靠的功率控制方案。
  7. **电动工具与电动汽车系统**:作为功率控制元件,应用于电动工具、电动车驱动系统和车载充电设备中。

替代型号

IXTH24N50MF, IXTH24N50P, IRFP460LC, STW20NK50Z

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