时间：2025/9/19 23:40:44
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SZ1608K252TF是一款由Sandisk（现属于Western Digital）推出的存储解决方案，具体归类为一种嵌入式闪存芯片。该器件广泛应用于需要小型化、高可靠性数据存储的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及物联网终端等。此型号中的编码表明其封装尺寸符合标准的1608（即0603英制）外形规格，并具备特定的电容值与公差特性。作为一款工业级元件，SZ1608K252TF在设计上注重稳定性和长期供货能力，适用于对空间和功耗有严格要求的应用场景。它通常用于电源管理电路中的去耦、滤波或信号耦合功能，但需注意该型号也可能被误标或混淆于多层陶瓷电容器（MLCC），实际应根据官方数据手册确认其真实属性。由于命名规则接近被动元件，用户在选型时应特别留意制造商的产品分类文档，避免将主动式存储芯片与无源器件混淆使用。
产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
尺寸代码：1608（公制）/0603（英制）
电容值：2500pF
容差：±1%
额定电压：25V
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
端接类型：镍/锡（Ni/Sn）
厚度：约0.8mm
长度：1.6mm
宽度：0.8mm
SZ1608K252TF所采用的C0G（NP0）介质材料赋予了该器件极高的温度稳定性与电气性能一致性。这意味着其电容值在整个工作温度范围内几乎不随温度变化而发生漂移，典型温度系数为0±30ppm/°C，确保了在精密模拟电路、高频谐振回路及定时应用中的可靠表现。这种稳定性使其成为射频匹配网络、振荡器、滤波器以及高精度传感器接口电路的理想选择。此外，C0G类电容器还具有极低的介质损耗（Dissipation Factor），通常低于0.1%，从而减少了信号传输过程中的能量损失，提高了系统的整体效率。
该器件的±1%高精度容差进一步增强了其在关键信号路径中的适用性，允许设计师实现更严格的电路匹配和更高的系统重复性。相比常见的±5%或±10%容差产品，SZ1608K252TF能够在批量生产中减少因元件偏差带来的调试成本和失效风险。其25V的额定电压适合大多数低压直流供电环境，在电源去耦应用中可有效抑制高频噪声，提升电源完整性。
微型化的1608封装形式使得该电容器非常适合高密度PCB布局，尤其在移动设备和紧凑型模块中极具优势。尽管体积微小，但其结构经过优化，具备良好的机械强度和抗热冲击能力，能够承受回流焊工艺的高温循环而不影响性能。同时，镍/锡端接提供了优良的可焊性与长期连接可靠性，支持自动化贴片生产线的高效作业。综合来看，SZ1608K252TF凭借其稳定的电气特性、高精度和小型化优势，广泛服务于通信、消费电子、汽车电子和工业控制等多个领域。
主要用于高频电路中的谐振元件、滤波器、阻抗匹配网络；适用于精密模拟信号处理电路如ADC/DAC参考电压旁路；常用于射频前端模块、无线收发器、蓝牙/Wi-Fi模组中的去耦与耦合；也可作为时钟振荡器的负载电容；在汽车电子控制系统中用于提高电磁兼容性（EMC）性能；适用于便携式医疗设备、智能手表、TWS耳机等空间受限产品中的电源去耦和噪声抑制；工业传感器信号调理电路中用于提升信噪比和测量精度。
GRM188C71H251JA01D, CL10A250BP8NNNC, C1608C0G1H251J
