时间：2025/7/24 16:24:32
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DS1220AD 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该器件结合了高速 SRAM 和内置的锂电供电机制，能够在断电情况下保持数据不丢失。DS1220AD 的容量为 8K x 8 位，即 64Kbit（8KB），适用于需要数据保留能力的嵌入式系统、工业控制设备和数据记录器等应用。
容量：64Kbit（8KB）
组织方式：8K x 8
访问时间：120ns 最大
工作电压：4.75V 至 5.5V
数据保持电流：典型值 1.0μA（在 25°C）
封装类型：28 引脚 DIP
数据保持方式：内置锂电池
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
DS1220AD 具备高速访问能力，其最大访问时间为 120ns，适用于需要快速读写操作的应用场景。其内置的锂电池能够在主电源断开时自动供电，确保数据在断电后仍能长期保存，数据保持时间通常可达 10 年以上。该芯片的低功耗特性使其在待机模式下电流消耗极低，典型值仅为 1.0μA，在 25°C 下表现优异。此外，DS1220AD 采用 28 引脚 DIP 封装，便于安装和更换，适合工业环境中的使用。其工作电压范围为 4.75V 至 5.5V，具有较强的抗干扰能力和稳定性。DS1220AD 支持工业级温度范围 -40°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。该芯片还具备自动电源检测功能，当主电源下降到设定阈值以下时，会自动切换到电池供电模式，确保数据安全。
DS1220AD 主要应用于需要非易失性数据存储的场合，例如工业控制系统、自动化设备、数据采集系统、医疗设备、测试仪器、网络设备以及嵌入式系统中的关键数据存储。其高速访问和数据保持能力使其成为替代传统 EEPROM 或 Flash 存储器的理想选择，尤其是在需要频繁写入或对写入寿命有要求的应用中。例如，在工业控制中，它可以用于存储系统配置、校准数据或运行日志；在通信设备中，可用于存储设备序列号、配置信息等关键参数。由于其具备宽温工作能力，也适用于户外或车载环境下的数据存储需求。
DS1225AD, DS1220AB, CY14B108K-SX, FM16W08
