KSA558D2 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于提高效率并减少功率损耗。KSA558D2通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各种高功率电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):120A(在TC=25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大值5.3mΩ(在VGS=10V时)
功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
KSA558D2具备多项优异的电气和物理特性,适用于高功率和高效率的电路设计。
首先,该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术,使得导通电阻显著降低,从而减少了导通损耗,提高了系统效率。其RDS(on)最大值为5.3mΩ,在VGS=10V的条件下,能够有效支持大电流工作。
其次,该器件具有较高的电流承载能力,连续漏极电流可达120A,适合用于高功率密度设计的应用场景,如服务器电源、工业电源、电动工具和电动车控制器等。
此外,KSA558D2的封装形式为TO-247,具有良好的散热性能和机械稳定性,能够在较高温度环境下稳定工作,工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种恶劣的工作条件。
该MOSFET的栅极耐压为±20V,支持更宽的驱动电压范围,提高了与不同驱动电路的兼容性。同时,其最大功耗为200W,保证了在高负载情况下的稳定运行。
综合来看,KSA558D2是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET,适用于多种高功率应用场景。
KSA558D2 主要应用于需要高效率和高功率处理能力的电子系统中。典型应用包括:
? DC-DC转换器:如降压(Buck)和升压(Boost)转换器,用于提高转换效率并减少发热。
? 电池管理系统(BMS):用于电动工具、电动车和储能系统中的电池充放电控制。
? 电机驱动器:如无刷直流电机(BLDC)控制器,提供高电流输出和快速开关性能。
? 电源管理模块:包括服务器电源、工业电源和UPS不间断电源系统。
? 负载开关:用于控制大功率负载的通断,如加热元件、LED照明系统等。
? 电源适配器和充电器:提升转换效率,减少功率损耗。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1710BF, FDS6680, KSB2314D2