PTVSHC1DF15VU 是一款基于超级结技术的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。适用于多种电力电子应用场合,例如开关电源、电机驱动和逆变器等。它支持高效能功率转换,并能在高频工作条件下保持较低的损耗。
型号:PTVSHC1DF15VU
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):650V
RDS(on)(导通电阻,25℃):350mΩ
ID(持续漏电流):14A
Qg(栅极电荷):38nC
VGS(th)(栅极阈值电压):4V
TJ(结温范围):-55℃ to 175℃
封装形式:TO-220FP
PTVSHC1DF15VU 的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压:高达 650V 的额定漏源极电压,使其非常适合于高压应用环境。
2. 低导通电阻:在典型的工作温度下,其导通电阻仅为 350mΩ,能够显著降低导通损耗。
3. 快速开关性能:得益于优化的内部结构设计,此器件具备较小的栅极电荷,从而实现快速开关动作并减少开关损耗。
4. 超级结技术:采用超级结技术,进一步提升了效率和热性能。
5. 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
6. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 175℃ 的结温范围确保了其在极端条件下的适应能力。
PTVSHC1DF15VU 广泛应用于需要高效率和高可靠性的场景中,具体包括:
1. 开关电源 (SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中,提供高效的功率传输。
2. 电机驱动:为无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机等提供驱动支持。
3. 逆变器:在光伏逆变器和其他工业逆变器中用作功率开关。
4. PFC(功率因数校正)电路:提升功率因数,满足严格的能源法规要求。
5. 充电器:用于电动车充电器、笔记本电脑适配器等各种充电设备。
6. LED 驱动器:为大功率 LED 照明系统提供精确的电流控制。
PTVSHC1DF15TU, IRFB4710Z, FDP5600