KRC867E-RTK/P 是一款由KEC(现在的KEC Corporation)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件广泛应用于射频(RF)放大、高频开关和低噪声放大电路中。由于其良好的高频性能和可靠性,KRC867E-RTK/P在通信设备、无线模块和消费电子产品中得到了广泛应用。这款晶体管通常采用TO-92或类似的小信号封装形式,便于在各种电路中使用。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极电流(IC):150mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据不同档位)
封装类型:TO-92
KRC867E-RTK/P 是一款专为高频应用设计的NPN晶体管,具有出色的增益带宽积(fT高达100MHz),能够在射频和中频范围内提供稳定可靠的放大性能。该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,通常在110到800之间,具体取决于出厂时的分档情况,这使得它适用于不同类型的放大电路设计。此外,其集电极-发射极电压(VCEO)为50V,能够承受相对较高的电压应力,适合用于中等功率的开关和放大应用。
该晶体管还具有良好的噪声性能,适用于低噪声前置放大器的设计。其最大集电极电流为150mA,能够在不牺牲性能的前提下驱动较重的负载。KRC867E-RTK/P 的功耗为300mW,在正常工作条件下具有良好的热稳定性。此外,其采用TO-92封装,体积小巧,便于安装在印刷电路板上,适合用于空间受限的设计场景。
该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,能够在较宽的环境温度范围内保持稳定运行,适用于工业级和消费级电子产品。由于其高可靠性和广泛的工作条件适应能力,KRC867E-RTK/P 常被用于无线通信、射频模块、音频放大电路和逻辑控制电路等应用领域。
KRC867E-RTK/P 适用于多种电子电路设计,特别是在需要高频放大和低噪声性能的场合。它常用于射频(RF)放大器、中频放大器、低噪声前置放大器以及高频开关电路。由于其良好的电流增益和频率响应特性,该晶体管也被广泛应用于无线通信设备、FM接收器、无线遥控模块和无线传感器网络中的信号放大电路。
此外,KRC867E-RTK/P 也可用于音频放大电路中的前置放大级,提供良好的信号增益和较低的失真。在消费电子产品中,如收音机、对讲机、无线麦克风等设备中,该晶体管常用于信号处理和放大环节。在工业控制和自动化系统中,该晶体管可用于逻辑控制电路、继电器驱动电路和小型电源管理模块。
2N3904, BC547, 2SC3355, 2SC945