时间：2025/9/11 11:14:50
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KTC2983L是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动电路等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KTC2983L具备极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。器件的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，增强了在极端工作条件下的可靠性。
KTC2983L常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路以及高功率负载开关。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该器件也适用于工业电源、服务器电源、通信设备电源模块以及新能源系统如太阳能逆变器和储能系统中的功率控制部分。
IRF1404, Si4410BDY, AO4406, NVTFS5C471NL
