晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

KRC864E-RTK/P晶体管具备多项优异特性，首先其高电流增益（hFE）可达800，确保了在低基极电流下仍能实现高效的电流放大，适用于低功耗设计。其次，该晶体管的低饱和压降（Vce_sat）特性使其在开关应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。此外，KRC864E-RTK/P具有良好的频率响应能力，过渡频率（fT）高达100MHz，适合用于中高频放大电路。其SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合在各种严苛环境下使用。最后，该器件的耐高温性能确保在高温环境下依然保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

KRC864E-RTK/P晶体管广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要用途包括音频放大器的前置放大级、信号调理电路中的开关控制、电源管理系统中的电流调节、以及各类消费类电子产品如手机、平板电脑和便携式音频设备。此外，由于其优异的频率响应和稳定性，KRC864E-RTK/P也常用于无线通信设备中的射频放大电路。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号放大和继电器驱动电路。汽车电子方面，它可应用于车载娱乐系统、电池管理系统和LED照明控制等场景。

KRC864E-RTK/P的替代型号包括2N3904、BC547、KRC864S、KRC864D等。这些晶体管在电气特性和封装形式上与KRC864E-RTK/P相似，可根据具体设计需求进行替换。