KRC859U 时间：2025/9/11 17:39:43 阅读：14

KRC859U 是一款由韩国制造商生产的NPN型高频晶体管，广泛用于射频（RF）和中频（IF）放大电路中。该晶体管以其优异的高频性能和可靠性著称，适合在通信设备、无线模块、射频接收器以及其他高频电子电路中使用。KRC859U 采用小型化的封装形式，便于在紧凑的电路板布局中应用。

参数

类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

KRC859U 拥有出色的高频增益特性，其过渡频率（fT）可达250MHz，使其适用于高频放大和混频电路。该晶体管的低噪声系数和高线性度使其在射频接收前端电路中表现优异，有助于提高系统的信号接收灵敏度。
　　此外，KRC859U 采用SOT-23小型表面贴装封装，适用于自动化贴片生产工艺，并具有良好的热稳定性和机械强度。其低功耗特性也使得它在电池供电设备中表现出色。
　　在电气性能方面，该晶体管的电流增益（hFE）在不同工作电流下保持稳定，确保了电路的稳定性与一致性。KRC859U 的设计还考虑了抗静电能力和热保护性能，提升了整体系统的可靠性。