时间：2025/6/9 18:49:25
阅读：19
SI7884DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特（N-Channel）功率 MOSFET，采用了 TrenchFET Gen III 技术。这款器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于高效能电源转换应用。其封装形式为小尺寸的 TSOT23-3L 封装，适合空间受限的设计场景。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用中，能够提供出色的性能表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
栅极电荷：6nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
总功耗：0.8W
SI7884DP-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适用于高频应用。
3. 小型 TSOT23-3L 封装，节省 PCB 空间。
4. 高雪崩能量能力，增强可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 具有优秀的热性能，支持高功率密度设计。
这些特点使 SI7884DP-T1-GE3 成为各种便携式电子设备的理想选择。
该功率 MOSFET 器件的应用领域非常广泛，具体包括：
1. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
2. 负载开关和保护电路设计。
3. 电池供电设备中的电源管理。
4. 消费类电子产品中的马达驱动控制。
5. 工业级应用如 LED 照明驱动及小型化逆变器。
6. 可穿戴设备及其他对体积敏感的产品中作为高效开关元件。
SI7890DP, BSS138
