KR52S033M 时间：2025/12/28 14:36:24 阅读：10

KR52S033M 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。其主要特点是具备较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下工作，并具备较高的耐用性和热稳定性。由于其紧凑的封装和出色的电气性能，KR52S033M 常用于需要高效率和小尺寸设计的电源系统中。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A（在 Vgs=10V 时）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 3.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　最大功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-263（根据具体型号）

特性

KR52S033M 的最大漏源电压为 30V，适用于中低压功率转换应用。其导通电阻非常低，典型值为 3.3mΩ，在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。这种低 Rds(on) 特性也使得器件在高负载情况下具有更好的热性能，减少了对散热片的需求。该器件的最大连续漏极电流为 60A，在适当的散热条件下能够支持大功率负载。此外，KR52S033M 支持高达 20V 的栅源电压，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性和耐用性，可在高温环境下长期运行。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用。封装形式通常为 TO-220 或 TO-263，前者适合插件安装，后者则适用于表面贴装，便于自动化生产。TO-263 封装还具有更好的热传导性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。
　　KR52S033M 的开关性能也十分优异，具备较快的上升和下降时间，适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。其低栅极电荷（Qg）特性减少了驱动损耗，使得控制器更容易驱动该器件。同时，器件内部的体二极管也能在反向电流情况下提供一定的保护作用。

应用

KR52S033M 主要用于需要高效率、高电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源适配器、服务器电源模块以及汽车电子中的功率控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，它特别适用于需要高能效和小尺寸设计的电源转换系统。例如，在笔记本电脑的主板供电系统中，KR52S033M 可作为高边或低边开关使用，实现对 CPU 或 GPU 的高效供电。在电动车或储能系统中，它也可以用于电池充放电管理电路中。