时间：2025/4/27 17:10:29
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NGTD28T65F2WP 是一款高性能的 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于高频开关和高功率应用。该器件采用先进的芯片技术，具有较低的导通压降和开关损耗，能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款 IGBT 主要用于工业控制、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
最大集电极-发射极电压：650V
最大集电极电流：28A
最大栅极-发射极电压：±20V
导通压降（Vce(on)）：1.8V@17.5A
开关时间：ton=94ns，toff=139ns
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
1. NGTD28T65F2WP 具有低导通压降，可减少功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度有效>3. 内置反并联二极管（FWD），能够承受较高的浪涌电流并支持高效的续流操作。
4. 高可靠性设计，具备较强的抗干扰能力及热稳定性。
5. 封装形式为 TO-247，便于散热管理和电路集成。
6. 能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适合恶劣环境下的使用。
1. 工业电机驱动与控制
2. 太阳能光伏逆变器
3. 不间断电源（UPS）系统
4. 焊接设备
5. 开关电源（SMPS）
6. 高频感应加热装置
