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SI4392ADY-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/11 20:07:20 查看 阅读:7

SI4392ADY-T1-E3 是一款高性能的射频收发器芯片,由 Silicon Labs 公司设计制造。该芯片专为低功耗无线应用而设计,适用于各种短距离无线通信场景。它支持多种调制方式和灵活的频率配置,适合用于物联网设备、消费电子产品以及工业自动化领域。
  SI4392ADY-T1-E3 提供高度集成的解决方案,内置了功率放大器、低噪声放大器、混频器、滤波器等关键组件,简化了外围电路设计。同时,该芯片具备可编程输出功率和接收灵敏度调节功能,满足不同应用场景的需求。

参数

工作频率范围:150 MHz 至 950 MHz
  输出功率:-20 dBm 至 +10 dBm
  接收灵敏度:-117 dBm(典型值)
  供电电压:1.8 V 至 3.6 V
  待机电流:小于 0.5 μA
  数据速率:高达 1 Mbps
  调制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK
  封装形式:40 引脚 QFN 封装(6 mm x 6 mm)

特性

1. 高度集成的射频前端,减少了外部元件数量,降低了系统成本。
  2. 支持多频段操作,用户可以根据需求灵活选择工作频率。
  3. 内置多种数字基带处理功能,包括自动增益控制(AGC)、RSSI 测量、包检测等。
  4. 低功耗设计,特别适合电池供电的应用场合。
  5. 提供简单易用的 SPI 接口,方便与微控制器进行通信。
  6. 可通过寄存器配置实现个性化功能调整,满足多样化需求。
  7. 工作温度范围宽,能够适应恶劣环境下的稳定运行。

应用

1. 智能家居设备中的无线通信模块。
  2. 远程控制装置,如遥控器或安防报警系统。
  3. 工业传感器网络及数据采集节点。
  4. 消费类电子产品的无线连接功能扩展。
  5. 医疗健康监测设备中的无线传输部分。
  6. 物联网终端节点的低功耗无线通信方案。

替代型号

SI4392ADY-T1-E2
  SI4392ADY-T1-E1

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SI4392ADY-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流15 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0075 Ohms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 下降时间8 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3 W
  • 上升时间50 ns, 35 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间21 ns, 23 ns
  • 零件号别名SI4392ADY-E3