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KQ0603TD10NH 发布时间 时间:2025/5/31 0:00:27 查看 阅读:8

KQ0603TD10NH是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于电源管理、开关电路和电机驱动等领域。该器件采用了先进的生产工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,适合需要高效能和高可靠性的应用场合。
  该芯片属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式通常为TO-220或类似的标准封装类型,能够满足工业级及消费级电子产品的严格要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1250pF
  最大功耗:90W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

KQ0603TD10NH具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关电源和逆变器设计。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
  4. 内置ESD保护功能,提高了器件的抗静电能力,增强了可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合长期使用。

应用

KQ0603TD10NH广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器中用于降压或升压操作。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电池管理系统(BMS)组件。

替代型号

IRF540N
  STP10NK60Z
  FDP5800

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