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H5PS1G63EFR-S5 发布时间 时间:2025/9/2 7:05:15 查看 阅读:10

H5PS1G63EFR-S5 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别,主要设计用于低功耗应用场景,如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该器件采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有较高的集成度和较小的体积,适合在空间受限的设备中使用。

参数

容量:1Gb
  组织结构:16位x64
  电压:1.8V/2.5V双电压供电
  数据速率:166MHz / 200MHz可选
  封装类型:FBGA
  引脚数量:93-ball
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  内存类型:Mobile SDRAM
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  时钟频率:可支持高达200MHz

特性

H5PS1G63EFR-S5是一款专为低功耗优化设计的移动DRAM芯片,采用了先进的CMOS技术和移动SDRAM架构,以满足便携式设备对功耗和性能的双重需求。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式,从而显著延长电池寿命。此外,它还具备高性能的数据访问能力,数据速率可达166MHz或200MHz,满足高分辨率显示和高速数据处理的需求。
  该芯片的FBGA封装形式不仅减小了PCB布局的空间需求,还提高了散热性能和电气性能。其93-ball的封装设计使得信号完整性得到了优化,降低了电磁干扰(EMI)的影响。同时,该芯片支持多种刷新周期设置,以适应不同的系统需求。
  H5PS1G63EFR-S5还具备较高的温度适应能力,工作温度范围从-40°C到+85°C,使其适用于各种严苛环境下的电子设备。

应用

该芯片广泛应用于移动设备领域,如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和可穿戴设备。此外,它也适用于需要低功耗和高数据吞吐量的嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。

替代型号

H5PS1G63EFR-RBC

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