时间：2025/9/2 7:05:15
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H5PS1G63EFR-S5 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别，主要设计用于低功耗应用场景，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该器件采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具有较高的集成度和较小的体积，适合在空间受限的设备中使用。
容量：1Gb
组织结构：16位x64
电压：1.8V/2.5V双电压供电
数据速率：166MHz / 200MHz可选
封装类型：FBGA
引脚数量：93-ball
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
内存类型：Mobile SDRAM
刷新方式：自动刷新/自刷新
时钟频率：可支持高达200MHz
H5PS1G63EFR-S5是一款专为低功耗优化设计的移动DRAM芯片，采用了先进的CMOS技术和移动SDRAM架构，以满足便携式设备对功耗和性能的双重需求。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式，从而显著延长电池寿命。此外，它还具备高性能的数据访问能力，数据速率可达166MHz或200MHz，满足高分辨率显示和高速数据处理的需求。
该芯片的FBGA封装形式不仅减小了PCB布局的空间需求，还提高了散热性能和电气性能。其93-ball的封装设计使得信号完整性得到了优化，降低了电磁干扰（EMI）的影响。同时，该芯片支持多种刷新周期设置，以适应不同的系统需求。
H5PS1G63EFR-S5还具备较高的温度适应能力，工作温度范围从-40°C到+85°C，使其适用于各种严苛环境下的电子设备。
该芯片广泛应用于移动设备领域，如智能手机、平板电脑、便携式游戏机和可穿戴设备。此外，它也适用于需要低功耗和高数据吞吐量的嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。
H5PS1G63EFR-RBC
