您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KMFJ20007M-B214

KMFJ20007M-B214 发布时间 时间:2025/6/10 16:20:24 查看 阅读:6

KMFJ20007M-B214 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),主要应用于高频、高功率场景。该器件采用先进的封装工艺,具有出色的开关性能和低导通电阻特性,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
  这款 GaN 器件适用于电信基础设施、工业电源转换以及射频放大器等领域,为工程师提供了高性能的解决方案。

参数

型号:KMFJ20007M-B214
  类型:增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)
  材料:氮化镓(GaN)
  工作电压:650V
  持续漏极电流:7A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:70nC
  反向恢复电荷:无
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

KMFJ20007M-B214 的主要特点是其卓越的高频性能与高效能量转换能力。它具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on) 仅为 15mΩ),可降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,适合高频应用。
  3. 内置 ESD 保护电路,提高了产品的可靠性。
  4. 支持宽禁带半导体技术,相比传统硅基 MOSFET 具有更高的效率和更好的热性能。
  5. 良好的热稳定性,在高温环境下依然能保持稳定运行。
  6. 封装设计优化,便于散热管理,适合大功率应用场景。

应用

KMFJ20007M-B214 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 数据中心服务器电源模块,提供高效的 AC-DC 和 DC-DC 转换。
  2. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和直流变换器(DC/DC Converter)。
  3. 太阳能逆变器,用于提升能量转换效率。
  4. 通信基站中的射频功率放大器及电源管理单元。
  5. 工业级电机驱动控制器和其他需要高效率、高频率工作的电力电子设备。

替代型号

KMFJ20007M-B215
  KMFJ20007M-B216
  KMFJ20007M-C214

KMFJ20007M-B214推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价