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AONS66923 发布时间 时间:2025/5/13 9:06:34 查看 阅读:3

AONS66923 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的高性能 N 沘道 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效能电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等应用领域。其优化的封装设计使其能够在紧凑的空间内提供卓越的电气性能。

参数

导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  最大漏极电流(Id):108 A
  击穿电压(Vds):30 V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1.3 V
  封装形式:TO-263-3
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

AONS66923 具有超低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
  该器件支持高频开关操作,适合用于同步整流和降压转换器。
  其坚固的设计确保了在严苛环境下的可靠运行,例如高温或高电流条件下。
  AONS66923 还具备出色的热性能,能够有效散热以延长使用寿命。
  此外,该产品符合 RoHS 标准,满足环保要求。

应用

AONS66923 广泛应用于计算机及外设、消费类电子设备、工业自动化控制等领域中的电源管理环节。
  它特别适合用于以下场景:
  1. 高效 DC-DC 转换器
  2. 开关模式电源 (SMPS)
  3. 电机驱动电路
  4. 固态继电器
  5. 电池保护与管理系统

替代型号

AONP66923
  IRLR7846
  SI447DU

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AONS66923参数

  • 现有数量20,635现货
  • 价格1 : ¥11.92000剪切带(CT)3,000 : ¥5.06019卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1725 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),48W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线