时间：2025/5/23 10:22:06
阅读：1
GA1206A152KBBBR31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，主要用于高频、高效率电源转换场景。该芯片具有卓越的开关速度和低导通电阻特性，适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、无线充电模块、快充适配器以及其他对能效要求较高的应用领域。
这款 GaN 器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，内置优化的栅极驱动电路，能够显著提升系统的整体性能，并减小系统体积和重量。
型号：GA1206A152KBBBR31G
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (e-mode GaN FET)
最大漏源电压（Vds）：650V
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V~3V
最大漏极电流（Id）：18A
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247-3L
GA1206A152KBBBR31G 的主要特性包括：
1. 高开关频率支持，可达到 MHz 级别，有助于减小无源元件尺寸。
2. 极低的导通电阻（150mΩ），减少导通损耗，提高整体效率。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强系统的可靠性。
4. 栅极驱动兼容性良好，与现有硅基 MOSFET 驱动器无缝对接。
5. 高温稳定性，能够在极端温度环境下保持稳定的性能输出。
6. 小型化设计，适合紧凑型电源解决方案。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电源（SMPS），包括服务器电源和通信电源。
2. 快速充电器，特别是 USB-PD 协议相关产品。
3. 无线充电发射端和接收端模块。
4. LED 驱动电源，用于高亮度照明场景。
5. 光伏逆变器中的 DC-DC 转换部分。
6. 电机驱动和工业电源转换系统。
GS66508T
NTGD492N065SC1
GAN063-650WSA
