电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V
　　电介质材料：X5R
　　封装尺寸：1210（公制3225）
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　工作温度系数：±15% 变化在温度范围内
　　绝缘电阻：10,000MΩ min
　　最大纹波电流：根据应用环境不同而变化

KMF100VB4R7M5X11LL 是一款专为高可靠性设计的多层陶瓷电容器。它采用了先进的陶瓷材料和制造工艺，确保了在各种工作条件下的稳定性能。该电容器具有良好的温度稳定性，能够在-55°C到+85°C的宽温度范围内保持电容值的相对恒定。其X5R型电介质材料确保了在不同温度下的容差变化较小，适合对温度稳定性要求较高的应用。
　　此外，该电容具有较高的额定电压（100V），适用于需要较高电压耐受能力的电路设计。其1210（3225公制）封装尺寸在提供较大电容值的同时，也便于表面贴装工艺（SMT），提高了生产效率。
　　由于采用了多层结构设计，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而减少了在高频下的能量损耗，提高了电路的稳定性和效率。这使得它在电源去耦、滤波和信号处理等高频应用中表现出色。
　　KMF100VB4R7M5X11LL 还符合RoHS标准，不含有害物质，符合环保要求，适用于绿色电子产品设计。

KMF100VB4R7M5X11LL 多层陶瓷电容器广泛应用于各种高可靠性电子设备中，包括工业控制设备、汽车电子系统、通信设备、电源管理模块、DC-DC转换器、UPS不间断电源、电机驱动器以及其他需要高稳定性和高耐压能力的电路中。其优良的电气性能和机械性能使其成为理想的去耦和滤波电容。

TDK C3225X5R1E475K160AB
　　Murata GRM32ER61A475KA12L
　　Vishay VJ1210Y4R1E475KXQW1BC
　　Yageo CC1210KKX5R8BB475