时间：2025/8/13 7:31:43
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LBLH4901WT1G是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-252，便于安装和散热。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（Tc）
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（最大值）
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-252
LBLH4901WT1G具有出色的导通和开关性能，主要得益于其低导通电阻和快速开关速度。该器件采用先进的沟槽MOSFET技术，能够在高频率下高效运行，同时降低开关损耗。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，适用于高要求的功率转换应用。其TO-252封装设计提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，使其适用于多种栅极驱动电路。其高电流承载能力和低Rds(on)特性使其在DC-DC转换器、同步整流器和电机控制等应用中表现出色。此外，LBLH4901WT1G还具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，适合在工业和汽车电子环境中使用。
LBLH4901WT1G广泛应用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统和电源开关电路。其高频率特性使其特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。此外，该器件也可用于汽车电子系统、工业自动化控制和高功率LED照明驱动电路。
SiR178DP-T1-GE3, IRF1710PBF, FDS6680, IPB013N06N G
