时间：2025/9/2 9:34:30
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H5MS5122EFR-E3M 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高密度、低功耗的NAND闪存芯片。该器件广泛用于需要大容量非易失性存储的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、工业计算机和数据存储设备。这款芯片采用TSSOP封装形式，支持ONFI 2.3接口标准，具备良好的可靠性和稳定性。
容量：512Mb
工艺技术：NAND Flash
接口标准：ONFI 2.3
封装类型：TSSOP
工作电压：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最高可达50MB/s
写入速度：最高可达20MB/s
擦除时间：块擦除时间约为2ms
存储单元类型：SLC（单层单元）
数据保持时间：10年@70°C
编程/擦除周期：10万次
H5MS5122EFR-E3M 是一款高性能的NAND闪存芯片，专为工业级应用设计。其采用先进的SLC（单层单元）技术，提供更高的可靠性和耐用性。该芯片的存储容量为512Mb，支持高效的数据读写操作，适用于对数据完整性要求较高的系统。
该芯片的ONFI 2.3接口标准提供了高速数据传输能力，同时兼容多种控制器方案，便于系统集成。其TSSOP封装形式具有良好的散热性能和空间适应性，适合在紧凑型设备中使用。
在功耗方面，H5MS5122EFR-E3M 优化了运行和待机模式下的电流消耗，适用于对功耗敏感的应用场景。其宽电压工作范围（2.7V - 3.6V）使其在不同电源条件下均能稳定运行。
此外，该芯片具备较强的抗干扰能力和数据保持能力，在恶劣工业环境中也能保持良好的性能。其10万次的编程/擦除周期寿命，使其适用于频繁写入和读取的应用场景。
H5MS5122EFR-E3M 适用于多种工业和嵌入式应用，包括工业控制系统、数据采集设备、智能卡终端、车载导航系统、POS终端、安防监控设备、通信模块和固态存储卡等。由于其高可靠性和低功耗特性，该芯片也常用于需要长时间运行和数据存储稳定性的设备中。
H5MS5122FMR-E3M, H5MS5122GFR-E3M, H5MS5122EFR-E3B
