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19-226/R6GHC-A03/2T 发布时间 时间:2025/5/22 22:49:04 查看 阅读:19

19-226/R6GHC-A03/2T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺和封装技术,能够提供低导通电阻和快速开关特性。其设计目标是实现高效率和低损耗,特别适合对能效要求较高的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超快
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

该器件具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 强大的浪涌电流能力,增强了系统的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

这款功率MOSFET适用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率级控制。
  3. 电机驱动器中的桥式配置组件。
  4. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

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