DMN15H310SE 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于 Diodes 公司的 SupreMOS 系列。该系列器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,适用于高效率、高密度的功率转换应用。DMN15H310SE 采用 SO-8 封装形式,非常适合消费电子、工业控制以及通信设备中的负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提高系统效率,同时其封装形式紧凑,有助于缩小电路板空间占用。
最大漏源电压:40V
最大连续漏电流:22A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:7.6nC
总电容(输入电容):980pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
DMN15H310SE 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 Vgs=10V 下为 2.5mΩ(典型值),能够有效减少导通损耗。
2. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷和输出电荷,适合高频应用。
3. 高电流承载能力,支持高达 22A 的连续漏电流。
4. 宽工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,适应各种严苛的工作环境。
5. 提供 ESD 保护功能,增强器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
DMN15H310SE 广泛应用于以下领域:
1. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流或高端开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动应用中的桥臂开关。
5. 各类消费电子产品的功率管理模块。
6. 工业设备中的功率级控制及信号切换。
由于其高效和紧凑的设计,该 MOSFET 在需要高性能和小尺寸的应用中表现优异。
DMN15H310SHE, DMN15H310SDE