时间：2025/5/7 13:40:43
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DMN15H310SE 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于 Diodes 公司的 SupreMOS 系列。该系列器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高密度的功率转换应用。DMN15H310SE 采用 SO-8 封装形式，非常适合消费电子、工业控制以及通信设备中的负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。
这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提高系统效率，同时其封装形式紧凑，有助于缩小电路板空间占用。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：22A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：7.6nC
总电容（输入电容）：980pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
DMN15H310SE 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 下为 2.5mΩ（典型值），能够有效减少导通损耗。
2. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷和输出电荷，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，支持高达 22A 的连续漏电流。
4. 宽工作温度范围，从 -55℃ 到 +175℃，适应各种严苛的工作环境。
5. 提供 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
DMN15H310SE 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流或高端开关。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动应用中的桥臂开关。
5. 各类消费电子产品的功率管理模块。
6. 工业设备中的功率级控制及信号切换。
由于其高效和紧凑的设计，该 MOSFET 在需要高性能和小尺寸的应用中表现优异。
DMN15H310SHE, DMN15H310SDE
