时间：2025/9/11 11:07:18
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KMD4D2N30S 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率开关应用。该器件采用高密度沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。KMD4D2N30S 采用表面贴装封装，适合自动化生产流程，并具有良好的热性能和电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：最大值30mΩ（Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
KMD4D2N30S MOSFET具有低导通电阻的特性，这对于降低功率损耗和提高系统效率至关重要。其沟槽式结构优化了电流流动路径，减少了导通状态下的电压降，从而降低了功耗和发热。
此外，该器件具备较高的栅极绝缘性能，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适用于严苛环境条件下的电子设备。KMD4D2N30S 的封装设计支持高密度PCB布局，并具备良好的散热能力，有助于提升整体系统的可靠性。
该MOSFET还具有快速开关特性，使其在高频应用中表现出色，例如DC-DC转换器和负载开关等。其优异的热稳定性也使其在持续高电流负载下保持良好的性能。
KMD4D2N30S 主要应用于需要高效功率控制的电子设备中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中的电源管理系统。
在工业自动化和控制系统中，该器件常用于驱动继电器、LED灯组和小型电机等负载。此外，它也适用于各类DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关电路。
由于其优异的开关性能和稳定的工作特性，KMD4D2N30S 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明控制系统以及车载信息娱乐系统等场景。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDS6675, NTD4858N
