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GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 发布时间 时间:2025/5/22 14:49:49 查看 阅读:13

GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 是一款高性能的功率半导体器件,通常用于电源管理、电机驱动和工业控制等场景。该型号属于高压功率MOSFET系列,采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。

参数

类型:功率MOSFET
  电压等级:700V
  导通电阻:18mΩ
  封装形式:TO-247
  最大电流:30A
  栅极电荷:120nC
  开关频率:最高可达100kHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 功率MOSFET采用了最新的硅技术设计,其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高负载条件下显著降低功耗。
  2. 高击穿电压能力,适用于需要高耐压的应用环境。
  3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗并提高效率。
  4. 优化的热阻设计,确保器件在高温环境下也能稳定运行。
  5. 具备出色的抗雪崩能力和过流保护功能,提升系统的可靠性和安全性。
  6. 封装形式为TO-247,适合大功率散热需求的场景。

应用

该型号广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源和不间断电源(UPS)系统。
  2. 太阳能逆变器和风能转换系统。
  3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机驱动电路。
  4. 开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 各种高频功率变换器和电力电子设备。

替代型号

GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R25
  GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-800-R18
  IRFP460N
  FQP18N70C

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GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OSCONIQ? P 3737
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 颜色白色,冷色
  • CCT (K)6500K
  • 85°C 时光通量,电流 - 测试345lm(310lm ~ 380lm)
  • 25°C 时光通量,电流 - 测试-
  • 电流 - 测试700mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.8V
  • 流明/瓦,不同电流 - 测试时176 lm/W
  • CRI(显色指数)70
  • 电流 - 最大值1.5A
  • 视角120°
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1515(3838 裸露焊盘)
  • 供应商器件封装3-SMD
  • 大小 / 尺寸0.146" 长 x 0.146" 宽(3.70mm x 3.70mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.089"(2.25mm)