时间：2025/5/22 14:49:49
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GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 是一款高性能的功率半导体器件，通常用于电源管理、电机驱动和工业控制等场景。该型号属于高压功率MOSFET系列，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
类型：功率MOSFET
电压等级：700V
导通电阻：18mΩ
封装形式：TO-247
最大电流：30A
栅极电荷：120nC
开关频率：最高可达100kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 功率MOSFET采用了最新的硅技术设计，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高负载条件下显著降低功耗。
2. 高击穿电压能力，适用于需要高耐压的应用环境。
3. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗并提高效率。
4. 优化的热阻设计，确保器件在高温环境下也能稳定运行。
5. 具备出色的抗雪崩能力和过流保护功能，提升系统的可靠性和安全性。
6. 封装形式为TO-247，适合大功率散热需求的场景。
该型号广泛应用于以下领域：
1. 工业电源和不间断电源（UPS）系统。
2. 太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机驱动电路。
4. 开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种高频功率变换器和电力电子设备。
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R25
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-800-R18
IRFP460N
FQP18N70C
