类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：40 V
　　最大直流阻断电压（VR）：40 V
　　平均整流电流（IO）：1 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A（8.3ms 半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：500 mV（在1 A, TJ = 25°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：500 μA（在25°C时），100 μA（在125°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：250 °C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

FW111-TL的核心优势在于其低正向导通压降与快速恢复特性之间的优异平衡。作为一款肖特基二极管，它利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通时的能量损耗。在1A电流条件下，其最大正向压降仅为500mV，相比传统硅二极管（通常为700mV以上）可大幅减少功率损耗，提升整体系统效率，尤其在低电压、大电流的DC-DC转换器中表现突出。这种低VF特性不仅有助于延长电池供电设备的续航时间，还能降低散热需求，简化热管理设计。
　　该器件具备极快的反向恢复时间（trr < 5ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这使其在高频开关应用中表现出色，能够有效抑制开关噪声和电压尖峰，提高电源系统的稳定性与电磁兼容性（EMC）。由于没有少数载流子存储效应，肖特基二极管在关断过程中不会产生拖尾电流，从而避免了因反向恢复引起的额外功耗，这对于工作频率高达数百kHz甚至MHz的同步整流或升压/降压拓扑至关重要。
　　SOD-123FL封装具有较小的寄生电感和电阻，有利于高频性能优化。其引脚结构经过优化设计，增强了焊接可靠性和机械强度，能够在振动或热循环环境下保持稳定的电气连接。此外，该封装符合JEDEC标准，便于自动贴片机识别与装配，适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。
　　FW111-TL的工作结温可达+125°C，并能在高温下维持较低的漏电流水平（125°C时典型值为100μA），展现出良好的高温稳定性。虽然肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流问题，但该型号通过材料优化和结构设计，在保持低VF的同时有效控制了IR的增长，提升了高温下的可靠性。综合来看，FW111-TL是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能肖特基二极管，广泛适用于对效率和空间敏感的应用场景。

FW111-TL广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其是在需要高效率和小尺寸解决方案的场合。常见应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管或防倒灌二极管。在这些设备中，电源管理单元（PMU）通常工作在较高频率下，FW111-TL的快速响应能力和低正向压降可显著提升转换效率，减少发热，延长电池使用寿命。
　　此外，该器件也常用于AC-DC适配器的次级侧整流电路、USB充电模块、LED驱动电源以及各类嵌入式系统的电源轨保护电路中。在同步整流架构尚未普及的小功率电源中，FW111-TL可作为主整流元件替代传统快恢复二极管，实现更优的能效表现。
　　工业控制领域中的一些传感器模块、低功耗微控制器供电电路也会采用此类小型化肖特基二极管进行电源隔离或反接保护。由于其具备一定的浪涌承受能力（30A），在面对输入端瞬态冲击时仍能保持稳定运行，因此也可用于电源输入端的瞬态抑制辅助路径或热插拔电路中的电流箝位元件。
　　在网络通信设备、路由器、IoT节点等对空间和散热有严格要求的应用中，FW111-TL的小型化封装和高效特性使其成为理想选择。总之，凡是在有限空间内追求高能效、快速响应和可靠运行的电源相关设计，FW111-TL均具备较强的适用性。

SM110-T3\nMBR140\nSS14\nB140AW\nRB160M-40