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IRFB5620PBF 发布时间 时间:2023/3/8 11:33:24 查看 阅读:473

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

  


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:72.5 毫欧 @ 15A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):200V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:25A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 100μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:38nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :1710pF @ 50V

    功率 - 最大:144W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-220AB


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFB5620PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C72.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1710pF @ 50V
  • 功率 - 最大144W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件