时间：2025/12/28 16:11:26
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KMB3D9N40TA 是一款由Kec Corporation（KEC）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道MOSFET。该器件设计用于高电流、高电压应用，具备良好的导通性能和快速开关特性。其主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的电子设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约6.8mΩ（典型值，VGS=10V时）
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
KMB3D9N40TA MOSFET具有低导通电阻的特点，有助于减少功率损耗，提高系统效率。其TO-252（DPAK）封装形式具备良好的热性能，便于散热，适用于中高功率应用。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，提升了在恶劣工况下的可靠性。栅极驱动电压范围较宽，可在较低电压下工作，适合多种驱动电路设计。
该MOSFET还具有快速开关特性，降低开关损耗，提高系统整体效率。其结构设计优化了热阻，有助于维持稳定的工作温度，适用于高频率开关应用。KMB3D9N40TA的制造工艺确保了良好的一致性和可靠性，适用于批量生产中的高良率要求。
KMB3D9N40TA 常用于各种功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关以及工业控制设备。其低导通电阻和高电流承载能力，使其成为高效能电源转换和控制应用的理想选择。
TKA9N40Z, STB40NF03L, IRF3703PBF, FDP3632
