KMA6D5P20Q 时间：2025/9/12 9:09:14 阅读：10

KMA6D5P20Q是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高效率的电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该器件通常用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统和工业电源等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为18mΩ
　　栅极电荷（Qg）：约100nC
　　封装类型：TO-247

特性

KMA6D5P20Q具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，KMA6D5P20Q的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受高能量的瞬态过载。最后，其TO-247封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温，从而延长器件的使用寿命。

应用

KMA6D5P20Q适用于多种高功率电子系统，如DC-DC转换器、工业电源、电机控制、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备。由于其高效率和高可靠性，它也常用于服务器电源、电信设备电源以及UPS（不间断电源）系统。此外，该器件还可用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路，以提高能源利用效率。