时间：2025/8/21 13:25:13
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VDD251LNNA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。VDD251LNNA采用DFN5x6封装，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等高效能电源设计场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：150A（最大）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DFN5x6
VDD251LNNA作为一款高性能N沟道MOSFET，具有出色的导通性能和热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件支持高电流承载能力，能够承受较大的负载电流，同时保持较低的温升。该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关电源应用，减少开关损耗，提升系统整体性能。VDD251LNNA还具有良好的热阻特性，能够在高功率密度设计中保持稳定运行。
VDD251LNNA的DFN5x6封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该封装无引脚设计减少了寄生电感，有助于提高高频应用的性能。此外，VDD251LNNA具备较高的可靠性和耐用性，适用于工业级和汽车级应用环境。
VDD251LNNA广泛应用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及汽车电子系统等。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件特别适合用于高功率密度电源设计，如服务器电源、通信设备电源模块和工业自动化控制系统。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，VDD251LNNA也能发挥重要作用。
STL150N3LLF2AG,VDD251LN
