时间：2025/9/1 14:19:06
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H5ANAG6NCMR-TFC 是由SK Hynix公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）技术，专为需要极高数据传输速率和低功耗的应用设计。H5ANAG6NCMR-TFC采用先进的堆叠式封装技术，提供极大的内存带宽和紧凑的物理尺寸，适用于高端计算、图形处理和人工智能等领域。
容量：8GB
类型：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
接口：宽I/O并行接口
电压：1.3V（核心电压）
工作温度范围：0°C 至 95°C
封装类型：FCBGA（倒装芯片球栅阵列）
数据传输速率：2.4Gbps/pin
带宽：160GB/s（总带宽）
I/O配置：1024位总线宽度
H5ANAG6NCMR-TFC具有多项先进的技术特性。其采用的HBM2技术允许在多个堆叠的DRAM层之间进行高速数据传输，从而显著提高整体内存带宽。该芯片的3D堆叠封装技术不仅节省空间，还减少了信号路径长度，降低了功耗并提升了性能。此外，H5ANAG6NCMR-TFC支持多任务处理和高并发数据访问，非常适合用于需要处理大量数据流的高端GPU和AI加速器。该芯片还具备良好的热管理和稳定性，能够在高负载工作环境下保持稳定运行。
H5ANAG6NCMR-TFC广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、深度学习系统、高端游戏显卡以及数据中心服务器等领域。它特别适合那些需要极高内存带宽、低功耗和紧凑设计的设备。
H5AN8G8NFMR-TFC, H5AN4G8NFMR-TFC
