时间：2025/8/25 4:07:19
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FDS7096N3_NL 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率和高功率密度的应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等领域。FDS7096N3_NL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，使其在高电流负载下仍能保持良好的稳定性和效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A（在TC=25°C）
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约3.7mΩ（当VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
封装形式：PowerTrench? MLP5x6
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
FDS7096N3_NL 具备多项优异特性，使其在高功率和高频率应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 采用了先进的 PowerTrench? 技术，优化了沟槽结构，从而显著降低了导通电阻（RDS(on)），提高了导电效率。这种设计有助于减少功率损耗，提高系统整体效率，特别适用于高电流负载的电源管理电路。
其次，该器件的低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗，提升了响应速度。这对于现代开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和同步整流电路尤为重要。
此外，FDS7096N3_NL 采用 MLP5x6 封装形式，具备优良的热管理能力，能够在高功率密度环境下稳定工作。其小型化设计不仅节省了PCB空间，也便于实现紧凑型电源模块的开发。
最后，该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），具备良好的兼容性和灵活性，适用于多种驱动电路配置。
FDS7096N3_NL 主要应用于需要高效能和高稳定性的功率电子设备中。常见的应用场景包括：
1. **DC-DC转换器**：在同步整流型降压或升压转换器中作为主开关器件，提高转换效率并减小系统尺寸。
2. **负载开关**：用于电源管理系统中，控制电源通断，实现低功耗管理。
3. **电机控制电路**：在电机驱动电路中作为功率开关，实现高效能控制。
4. **电池管理系统**：用于电池充放电控制，提升电池使用效率和安全性。
5. **服务器和通信设备电源**：在高密度电源系统中提供稳定的功率转换性能。
Si7396DP, FDS7096N3
