KM68B257AJ-8 时间：2025/11/13 19:12:13 阅读：13

KM68B257AJ-8是一款由三星（Samsung）生产的32K × 8位静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点。该器件广泛应用于需要快速数据存取和稳定性能的嵌入式系统、通信设备、工业控制和消费类电子产品中。KM68B257AJ-8的工作电压为5V，兼容TTL电平，适用于标准的微处理器和微控制器系统接口。其封装形式为44引脚PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier），便于表面贴装，适合高密度PCB布局。该SRAM在掉电后数据无法保留，因此通常配合备用电源或非易失性存储器使用以确保关键数据的安全。由于其成熟的设计和稳定的供货历史，KM68B257AJ-8曾被广泛用于老式路由器、打印机、传真机以及工控设备中。尽管当前市场上新型低电压、低功耗SRAM逐渐取代传统5V器件，但KM68B257AJ-8仍在一些维护项目和替代升级方案中保持重要地位。

参数

制造商：Samsung
　　产品系列：KM68B257
　　存储容量：262,144位
　　存储结构：32K × 8
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：80ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-PLCC
　　接口类型：并行
　　电源电压 - Vcc：4.5V ~ 5.5V
　　最大工作电流：70mA
　　待机电流：1μA（典型值）
　　输入电平：TTL兼容
　　刷新模式：无需刷新（静态RAM）

特性

KM68B257AJ-8采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的静态功耗管理能力，在待机模式下仅消耗极低的电流（典型值为1μA），显著延长了电池供电系统的续航时间，同时在全速运行时仍能维持稳定的性能输出。其80ns的访问时间使其能够满足大多数中高速微处理器系统的时序要求，适用于8位和16位总线架构的数据缓冲与临时存储任务。该芯片支持异步读写操作，控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），逻辑设计清晰，易于集成到现有系统中，减少了硬件设计复杂度。器件内部无须刷新电路，简化了系统设计，避免了动态RAM常见的刷新中断问题，提高了系统整体稳定性。此外，KM68B257AJ-8具备良好的抗干扰能力和宽裕的电源容差（4.5V至5.5V），能够在电源波动较大的工业环境中可靠运行。所有输入/输出引脚均具备静电放电（ESD）保护结构，提升了器件在生产、运输和使用过程中的安全性。其44引脚PLCC封装不仅支持表面贴装技术，还允许通过插座进行更换或升级，特别适合需要现场维护或固件调试的应用场景。器件符合RoHS环保标准（后期版本），并在出厂前经过严格的老化测试和功能验证，确保长期使用的可靠性。尽管该型号已逐步进入停产阶段，但在工业备件市场和替代方案中仍具应用价值。
　　KM68B257AJ-8的另一个显著优势是其广泛的系统兼容性。由于其TTL电平兼容性和标准并行接口，它可以无缝替换其他厂商的同类SRAM产品，如ISSI的IS62C256或Cypress的CY62256，只需注意引脚排列和封装形式是否一致即可。此外，该器件对地址建立时间、数据保持时间和控制信号时序的要求较为宽松，降低了PCB布线难度，尤其适合在多负载总线环境下稳定工作。其高噪声 immunity 和稳定的驱动能力确保在长距离走线或高电容负载条件下依然能够准确传输数据。这些特性使得KM68B257AJ-8成为许多传统嵌入式系统设计中的首选SRAM解决方案。

应用

KM68B257AJ-8常用于各类需要高速、稳定数据存储的电子系统中，典型应用包括网络通信设备（如路由器、交换机）中的帧缓存和配置存储，工业自动化控制系统中的实时数据采集缓冲，医疗仪器中的临时测量数据保存，以及老式打印机、复印机和传真机中的页面缓冲存储。此外，它也广泛应用于测试测量设备、POS终端、安防监控系统和汽车诊断工具等嵌入式设备中。由于其5V工作电压和TTL兼容性，该芯片特别适合与8051、68HC11、Z80等经典微控制器或微处理器协同工作。在一些需要外扩内存的单板计算机或工控主板上，KM68B257AJ-8也被用作主SRAM或协处理器的本地存储器。即使在现代系统中，该器件仍可用于系统升级或替代老旧SRAM型号，尤其是在无法更改PCB设计的情况下提供可靠的替换方案。