时间：2025/9/14 7:29:32
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BUK7C08-55AITE,118是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的功率MOSFET晶体管，广泛用于各种高功率开关应用中。这款MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。其封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：55V
连续漏极电流（ID）@ 25°C：120A
导通电阻（RDS(on)）：8mΩ @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V @ ID=250μA
最大功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装：DPAK (TO-252)
BUK7C08-55AITE,118具有低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流处理能力使其适合用于大功率开关电路，如DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统。
该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，提供了更高的沟道密度和更低的导通电阻，从而提升了性能。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能保持稳定运行。
其DPAK封装具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，从而提高器件的可靠性和寿命。这种封装形式也便于自动化生产和表面贴装工艺，适用于大批量生产环境。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，同时兼容低压驱动IC，使得其在各种应用中都具有良好的适应性。
BUK7C08-55AITE,118广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
在汽车电子系统中，该器件可用于电池管理系统、电动助力转向系统、车载充电器和DC-DC转换器等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其非常适合用于严苛的汽车环境。
在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动、电源管理模块以及各种功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力有助于提高系统的整体效率和稳定性。
在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用于高频开关电路，以实现高效的能量转换。其良好的热性能和高功率处理能力使其成为高密度电源设计的理想选择。
此外，该MOSFET也可用于高功率LED照明系统、不间断电源（UPS）以及各种电源管理模块。
BUK7K10-55A, BUK7K10-55B, BUK7K10-55C, BUK7C10-55A
