P0268MYC 时间：2025/8/25 7:00:58 阅读：28

P0268MYC是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率晶体管，专为需要高耐压和大电流能力的应用设计。该器件采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻和快速开关特性，使其在电源管理和功率转换领域表现出色。P0268MYC采用紧凑的封装形式，适用于多种工业控制、汽车电子以及消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：34nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：50W

特性

P0268MYC具备多项优秀的电气和机械特性，使其在多种功率应用中表现出色。其高耐压能力（600V）使其适用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）和逆变器。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，P0268MYC的快速开关特性减少了开关损耗，提高了动态响应能力，非常适合高频操作环境。该器件采用TO-220封装，具有良好的热管理和机械稳定性，能够在恶劣的环境条件下可靠运行。其高可靠性设计和宽工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于汽车电子和工业控制系统等要求严苛的应用场景。

应用

P0268MYC广泛应用于各种需要高耐压和大电流能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、UPS系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。由于其紧凑的封装和高可靠性，P0268MYC也可用于空间受限的设计中，如家用电器和消费类电子产品中的功率控制电路。