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P0268MYC 发布时间 时间:2025/8/25 7:00:58 查看 阅读:12

P0268MYC是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率晶体管,专为需要高耐压和大电流能力的应用设计。该器件采用先进的MOSFET技术,具备低导通电阻和快速开关特性,使其在电源管理和功率转换领域表现出色。P0268MYC采用紧凑的封装形式,适用于多种工业控制、汽车电子以及消费类电子产品。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
  栅极电荷(Qg):34nC
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Ptot):50W

特性

P0268MYC具备多项优秀的电气和机械特性,使其在多种功率应用中表现出色。其高耐压能力(600V)使其适用于高压电源转换系统,如开关电源(SMPS)和逆变器。该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在导通状态下具有较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。此外,P0268MYC的快速开关特性减少了开关损耗,提高了动态响应能力,非常适合高频操作环境。该器件采用TO-220封装,具有良好的热管理和机械稳定性,能够在恶劣的环境条件下可靠运行。其高可靠性设计和宽工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于汽车电子和工业控制系统等要求严苛的应用场景。

应用

P0268MYC广泛应用于各种需要高耐压和大电流能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、UPS系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。由于其紧凑的封装和高可靠性,P0268MYC也可用于空间受限的设计中,如家用电器和消费类电子产品中的功率控制电路。

替代型号

STD8NM60N, STD8NM60ND2AG, STF8NM60N, STP8NK60Z

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