时间：2025/9/2 3:52:11
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KM6264BLG-12 是一款由三星（Samsung）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为8K x 8位，即总共64Kbit的存储空间。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要快速数据存取的工业和通信设备。其封装形式为28引脚塑料双列直插式封装（PDIP），适合在各种嵌入式系统中使用。
容量：64Kbit（8K x 8）
电源电压：5V
访问时间：12ns（最大）
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装类型：28引脚 PDIP
接口类型：并行
数据宽度：8位
刷新方式：无需刷新（SRAM特性）
KM6264BLG-12 采用先进的CMOS工艺制造，具有出色的低功耗性能，即使在高速运行时也能保持较低的功耗水平。该芯片的访问时间仅为12ns，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。其28引脚PDIP封装形式便于安装和焊接，适用于多种电路板设计。由于是SRAM芯片，无需像DRAM那样定期刷新数据，提高了系统的稳定性和可靠性。
此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业环境下长时间稳定运行。其8位数据宽度设计适合嵌入式系统、网络设备、工业控制器等应用场合。同时，其标准的并行接口使其易于与各种微控制器和处理器进行连接，降低了系统设计的复杂度。
在可靠性方面，KM6264BLG-12 符合行业标准，并通过了多项电气和环境测试，确保在各种应用中的稳定运行。
KM6264BLG-12 SRAM芯片广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统中，如工业控制设备、通信模块、网络路由器和交换机、测试仪器、医疗设备以及老式计算机系统中的高速缓存或临时数据存储单元。由于其高速访问时间和低功耗特性，也常用于需要频繁读写操作的数据缓冲场景。
在工业自动化领域，该芯片可作为PLC（可编程逻辑控制器）或其他控制设备的临时存储单元，用于存储运行时的变量或程序代码。在通信设备中，KM6264BLG-12 可作为数据缓冲区，用于暂存传输过程中的数据包，提高通信效率。对于测试和测量设备，该芯片可用于存储测量数据或配置参数，确保设备在断电后仍能保留关键数据。
此外，该芯片也常见于老式嵌入式计算机系统中，作为主内存或高速缓存使用，以提升系统的整体性能。
IS61C64AH-12H，CY6264BV，AS6C6264A-55PCN，HM6264BLFP-12
