STP19NM50N 时间：2025/6/13 13:00:02 阅读：7

STP19NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。这款器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的场景，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该器件采用TO-220封装形式，适合通过散热片进行高效的热管理。
　　STP19NM50N的最大额定电压为500V，能够承受较高的反向电压，同时其最大导通电阻在特定条件下较低，从而减少传导损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：19A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω（在Vgs=10V时）
　　总功耗（Ptot）：160W
　　结温范围（Tj）：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

STP19NM50N具有以下关键特性：
　　1. 高电压耐受能力：最大漏源电压高达500V，适用于高压环境下的开关应用。
　　2. 低导通电阻：在Vgs=10V时，导通电阻仅为1.3Ω，有助于降低传导损耗。
　　3. 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电容，可实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
　　4. 高可靠性：通过了严格的雪崩测试和短路耐量测试，确保在异常工作条件下的稳定性。
　　5. 宽温度范围：结温范围为-55℃至+175℃，适应各种极端环境的应用需求。
　　6. 热性能优良：采用TO-220封装，便于安装外部散热片，以改善散热效果。

应用

STP19NM50N广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效能的AC-DC或DC-DC转换器中，作为主开关管。
　　2. 电机驱动：适用于各类电机控制电路，提供高效且可靠的开关性能。
　　3. 负载开关：用于保护后端电路免受过流或短路的影响。
　　4. 电池保护：在电池管理系统中用作充放电路径的控制开关。
　　5. 工业设备：包括逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要高压切换的工业应用。