时间：2025/11/12 22:17:07
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KM416V1204CJ-5是一款由三星（Samsung）公司生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM），属于SDR SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别。该芯片广泛应用于需要中等容量和高性能内存支持的电子设备中，如网络设备、嵌入式系统、工业控制设备以及部分消费类电子产品。其命名规则遵循行业惯例，其中'KM'代表三星的内存产品系列，'416'表示存储密度为16M x 4位结构，'V'表明其为低压版本（通常为3.3V供电），'1204'可能与内部组织结构相关，而'CJ'标识封装类型和温度范围，'-5'则表示存取时间为5纳秒，对应于143MHz的时钟频率。这款芯片采用标准的SDRAM接口协议，支持同步操作，能够与时钟信号保持同步以实现高效的数据传输和系统协调。它具备 burst mode（突发模式）、CAS latency（列地址选通延迟）可配置等特性，适用于需要稳定性和兼容性的传统设计平台。由于其已经属于较早期的产品系列，目前在新设计中逐渐被更先进的DDR或LPDDR系列所取代，但在一些维护项目或特定工业环境中仍具有应用价值。
类型：SDR SDRAM
容量：64 Mbit
组织结构：16M x 4 bit
工作电压：3.3V ± 0.3V
存取时间：5 ns
最大工作频率：143 MHz
数据速率：143 Mbps
CAS 延迟：2 或 3
封装形式：TSOP-II (54-pin)
工作温度范围：0°C 至 +70°C
刷新周期：64ms / 8192 行
电源电流：典型值约 300mA（最大）
KM416V1204CJ-5作为一款标准的SDR SDRAM器件，具备良好的时序控制能力和稳定的读写性能，适用于多种对成本和功耗有一定要求但不需要极高带宽的应用场景。其核心特性之一是同步接口设计，所有输入输出操作均在系统时钟的上升沿进行采样，从而确保了与处理器或其他控制器之间的精确同步，避免了异步DRAM常见的等待状态问题，提升了整体系统的响应速度和效率。
该芯片支持标准的SDRAM命令集，包括模式设置、预充电、激活、读/写操作及自动刷新等功能，允许用户通过外部控制器灵活配置工作模式。例如，在模式寄存器中可以设定突发长度（Burst Length）、突发类型（顺序或交错）以及CAS延迟值，以适应不同的系统需求。此外，其低功耗特性体现在待机模式下可通过自刷新机制维持数据完整性，同时显著降低电流消耗，适合长时间运行的嵌入式系统使用。
在物理层面，KM416V1204CJ-5采用54引脚TSOP-II小型化封装，具有较好的散热性能和空间利用率，便于在高密度PCB布局中使用。其电气特性符合JEDEC标准规范，保证了与其他符合标准的控制器和逻辑芯片之间的互操作性。尽管该器件不支持现代DDR技术中的双倍数据率传输，但在许多老旧设备升级或替换过程中仍因其稳定性、易获取性和兼容性而被继续选用。
需要注意的是，由于该型号已逐步退出主流市场，原厂可能已停止供货或转为非公开渠道供应，因此在长期项目中应考虑替代方案或库存管理策略。然而，对于现有系统的维修、翻新或小批量生产而言，KM416V1204CJ-5依然是一个可靠的选择，尤其在工业自动化、通信基站模块、医疗仪器等领域仍有实际应用案例。
主要用于网络路由器、交换机等通信设备中的帧缓冲存储；
适用于工业控制系统的数据缓存与临时存储单元；
用于老式打印机、复印机等办公自动化设备的图像处理缓存；
嵌入式终端设备如POS机、工控HMI人机界面中的主存扩展；
某些消费类电子产品如机顶盒、多媒体播放器中的视频暂存；
测试测量仪器中的采样数据临时存储；
作为FPGA或ASIC原型验证平台的外部存储资源。
K4S641632E-TC75
IS42S16400D-5TL
