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IRFB3206GPBF 发布时间 时间:2023/3/9 15:07:36 查看 阅读:545

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3 毫欧 @ 75A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):60V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 150μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:170nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :6540pF @ 50V

    功率 - 最大:300W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:TO-220AB


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFB3206GPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6540pF @ 50V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件