2SK2757 时间：2025/8/9 16:28:16 阅读：32

2SK2757 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等多种高电压高电流的应用场景。其采用小型SOP（Small Outline Package）封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合现代电子产品对小型化与高功率密度的需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100mA（@VDS=10V）
　　漏极功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-6

特性

2SK2757 MOSFET具有多项优良特性，首先是其高耐压能力，漏极与源极之间的最大击穿电压为30V，使其能够在中低电压应用中稳定工作。其次，该器件具备较低的导通电阻，在栅极电压为10V时，RDS(on)典型值约为5Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　此外，2SK2757采用了高可靠性的硅栅极技术，确保了器件在各种工作条件下的稳定性和长寿命。其栅极氧化层能够承受高达±20V的电压，具有较强的抗静电能力和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。
　　在封装方面，该MOSFET采用SOP-6封装形式，具有良好的散热性能和空间利用率，便于在PCB布局中使用，尤其适合便携式电子设备、电池管理系统和小型电源模块的应用。此外，其低功耗设计和快速开关能力，使其在高频开关电路中表现出色，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关等应用场景。
　　值得一提的是，2SK2757还具备较强的温度稳定性，在高温环境下仍能保持良好的电气性能，从而提高了系统的可靠性和耐久性。该器件的封装材料符合RoHS环保标准，无铅、无卤素，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

应用

2SK2757广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要低电压控制与高效率开关的场合。例如，在电源管理模块中，它可作为负载开关或稳压器中的控制元件；在DC-DC转换器中用于同步整流或高频开关；在电池供电设备中用于电源隔离或充放电控制；在工业控制和自动化设备中用于小型马达驱动或继电器替代方案。此外，它也适用于消费类电子产品中的LED驱动、逻辑电路控制等应用场景。