LTL2R3QYK 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,属于 N 沟道增强型功率晶体管。该器件适用于高频率开关应用和电源管理系统,具有较低的导通电阻(Rds(on))以及良好的热稳定性和可靠性。LTL2R3QYK 通常采用紧凑型封装,适合在空间受限的电子设备中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):30A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):2.3mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:PowerSSO-8
LTL2R3QYK 的核心特性在于其低导通电阻设计,这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的导通电阻仅为 2.3mΩ,确保了在高电流条件下仍能保持较低的功耗。此外,其支持高达 30A 的漏极电流和 30V 的漏源电压,适用于中高功率应用。
LTL2R3QYK 采用 PowerSSO-8 封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合在高密度 PCB 布局中使用。该封装形式还支持表面贴装技术(SMT),提高了组装效率和可靠性。
该 MOSFET 具有宽范围的工作温度(-55°C 至 +150°C),适用于严苛的工业和汽车电子环境。其栅源电压范围为 ±20V,确保了在不同驱动条件下的稳定工作。
ROHM 在设计 LTL2R3QYK 时充分考虑了热管理和电磁干扰(EMI)问题,优化了芯片内部结构,使得器件在高频开关应用中表现优异,减少了额外的滤波和屏蔽需求。
LTL2R3QYK 常用于电源管理系统,如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效能的开关电源(SMPS)和电池供电设备中。
在汽车电子领域,LTL2R3QYK 可用于车载充电器、LED 照明系统、电动助力转向系统(EPS)等应用。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够适应汽车环境中的极端条件。
此外,该器件也适用于工业自动化控制系统、UPS(不间断电源)、逆变器以及各种功率调节设备。
RJK0305DPA
SiRA34DP-T1-GE3
FDMS86101