时间：2025/9/11 15:51:05
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KL32TER82J 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合在高电流和高频率环境下工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：8.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
KL32TER82J 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。这种器件的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定运行。
此外，KL32TER82J 支持高达 100A 的连续漏极电流，使其适用于高功率需求的应用，例如直流-直流转换器、电机控制、电源开关和负载管理。其高栅源电压耐受能力（20V）使其在使用过程中具有更高的安全裕量，减少了栅极驱动电路的设计复杂度。
该 MOSFET 还具有快速开关能力，适用于高频操作，从而减少开关损耗。KL32TER82J 的热阻较低，确保在高温环境下依然可以保持稳定的性能。它的工作温度范围宽，适用于各种严苛环境下的电子系统。
KL32TER82J 主要用于需要高电流和高效率的功率电子设备中。典型应用包括电源管理系统、同步整流器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、直流负载开关、逆变器以及各种类型的 DC-DC 转换器。此外，它也适用于工业自动化设备、电动车电源系统以及消费类电子产品中的高功率模块。
IRF1405, STP100N3LL, FDP100N30L
