时间：2025/8/15 12:28:19
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TSP065SA 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，通常用于高功率开关应用中。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ（典型值）
封装类型：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C至175°C
TSP065SA 的核心优势在于其低导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。
此外，TSP065SA 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具备良好的热管理能力，能够适应紧凑型电路设计需求，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。该封装还具有较低的热阻，有助于提高器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
该MOSFET具有高电流容量和出色的热性能，使其适用于高功率密度应用。此外，其高栅极绝缘性能和过温保护能力，也增强了其在恶劣工作环境下的稳定性与安全性。
TSP065SA 常用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电动工具以及新能源汽车相关电子系统。其高效率和低损耗特性使其成为高功率开关电路中的优选器件。
STL065N3LLH5, STD065N3LLH5
