类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：6mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 mm2

SKCS28/06 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为6mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式栅极结构，提供了优异的开关性能，有助于减少开关过程中的能量损耗。
　　该MOSFET具有高电流承载能力，在Tc=25°C条件下，连续漏极电流可达100A，适用于高功率密度设计。其额定漏源电压为30V，栅源电压耐受范围为±20V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　SKCS28/06 采用PowerFLAT 5x6 mm2封装，具有优良的热性能和较小的PCB占用空间，适合用于紧凑型电源设计。该封装还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和汽车电子应用。其高可靠性和优良的热稳定性使其成为电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

SKCS28/06 主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　由于其低导通电阻和优异的开关性能，该MOSFET非常适合用于高频开关电源设计，能够有效降低系统损耗并提高整体能效。在汽车电子领域，SKCS28/06 也可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等关键部件。
　　此外，其紧凑的PowerFLAT封装使其成为空间受限应用的理想选择，例如便携式电源设备、服务器电源模块以及高密度电源适配器等。凭借其高可靠性和优良的热管理能力，SKCS28/06 也可用于要求严苛的工业控制系统和自动化设备中。

STL100N3LLF、STL100N3LH5、IRF1010E、FDMS86101