时间：2025/9/2 8:29:29
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HY57V561620FLTP-H 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要高速存储访问的电子设备。HY57V561620FLTP-H 的封装类型为TSOP（薄型小外形封装），适用于便携式电子产品和嵌入式系统中的存储扩展。这款芯片广泛应用于通信设备、工业控制、消费类电子产品等领域。
存储类型：DRAM
芯片容量：256Mbit
组织结构：16M x16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
时钟频率：166MHz
封装类型：TSOP-II
引脚数量：54-pin
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HY57V561620FLTP-H 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，其主要特性包括高速数据访问、宽电压工作范围以及良好的温度适应性。该芯片支持异步操作，适用于需要快速响应的系统设计。其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，提高设备的紧凑性。此外，该芯片内置刷新电路，能够自动维护数据完整性，降低了系统设计的复杂度。
在性能方面，HY57V561620FLTP-H 提供了高达166MHz的时钟频率，确保了快速的数据传输速率。其存取时间为5.4ns，使得该芯片在实时处理和高速缓存应用中表现出色。工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其适用于多种电源管理方案，增强了设备的兼容性和稳定性。
在可靠性和耐久性方面，HY57V561620FLTP-H 具备较高的抗干扰能力，并通过了严格的工业级温度测试，能够在-40°C至+85°C的环境下稳定工作。这使其成为工业控制、通信设备等对环境要求较高的应用领域的理想选择。
HY57V561620FLTP-H 主要应用于需要大容量高速存储的设备中。其典型应用包括网络设备（如路由器和交换机）、工业控制设备、嵌入式系统、多媒体播放器、打印机、扫描仪等消费类电子产品。由于其低功耗特性和良好的温度适应性，该芯片也常用于车载电子系统和安防监控设备中。
IS42S16400J-6T、CY7C1041CV33-10ZS、MT58L128A2B4-6A、K4S641632K-QCBL
