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HY57V561620FLTP-H 发布时间 时间:2025/9/2 8:29:29 查看 阅读:6

HY57V561620FLTP-H 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用CMOS工艺制造,适用于需要高速存储访问的电子设备。HY57V561620FLTP-H 的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),适用于便携式电子产品和嵌入式系统中的存储扩展。这款芯片广泛应用于通信设备、工业控制、消费类电子产品等领域。

参数

存储类型:DRAM
  芯片容量:256Mbit
  组织结构:16M x16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  时钟频率:166MHz
  封装类型:TSOP-II
  引脚数量:54-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

HY57V561620FLTP-H 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,其主要特性包括高速数据访问、宽电压工作范围以及良好的温度适应性。该芯片支持异步操作,适用于需要快速响应的系统设计。其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用,提高设备的紧凑性。此外,该芯片内置刷新电路,能够自动维护数据完整性,降低了系统设计的复杂度。
  在性能方面,HY57V561620FLTP-H 提供了高达166MHz的时钟频率,确保了快速的数据传输速率。其存取时间为5.4ns,使得该芯片在实时处理和高速缓存应用中表现出色。工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源管理方案,增强了设备的兼容性和稳定性。
  在可靠性和耐久性方面,HY57V561620FLTP-H 具备较高的抗干扰能力,并通过了严格的工业级温度测试,能够在-40°C至+85°C的环境下稳定工作。这使其成为工业控制、通信设备等对环境要求较高的应用领域的理想选择。

应用

HY57V561620FLTP-H 主要应用于需要大容量高速存储的设备中。其典型应用包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制设备、嵌入式系统、多媒体播放器、打印机、扫描仪等消费类电子产品。由于其低功耗特性和良好的温度适应性,该芯片也常用于车载电子系统和安防监控设备中。

替代型号

IS42S16400J-6T、CY7C1041CV33-10ZS、MT58L128A2B4-6A、K4S641632K-QCBL

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