时间：2025/9/12 10:07:41
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KIA75S558F-RTK/P 是由KEC公司生产的一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的平面条形技术和沟槽结构设计，以提供卓越的性能和可靠性。KIA75S558F-RTK/P适用于高功率开关应用，具备较低的导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。这款MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-263（表面贴装）
导通电阻（Rds(on)）：5.8mΩ（最大值，Vgs=10V）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
输入电容（Ciss）：约3000pF
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：55V
KIA75S558F-RTK/P具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承受能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下稳定运行。KIA75S558F-RTK/P的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于多种控制电路。该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频操作。其TO-263封装形式有助于提高散热效率，并支持表面贴装工艺，简化PCB组装流程。此外，KIA75S558F-RTK/P内置的雪崩能量保护功能增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性，延长使用寿命。
KIA75S558F-RTK/P MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、UPS不间断电源、LED照明驱动电源以及汽车电子控制系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为电源管理领域中的理想选择。
Si7585ADP-T1-GE3, IPB075N04S4-03, FDP75N55WS
