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GA1210A681JXBAR31G 发布时间 时间:2025/5/28 11:07:30 查看 阅读:11

GA1210A681JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种电源管理和功率转换场景。
  其主要特点包括出色的热性能、快速开关速度以及较强的抗浪涌能力。通过优化栅极电荷和阈值电压,这款芯片能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):18nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210A681JXBAR31G 的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景,例如开关电源、DC-DC 转换器等。
  3. 优秀的热稳定性,即使在高温环境下也能保持高效运行。
  4. 强大的抗静电能力(ESD),提高了产品的可靠性和耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场的需求。
  6. 封装形式紧凑,便于 PCB 布局和散热设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和负载管理。
  3. 电机驱动电路,特别是在需要高效率和快速响应的应用中。
  4. 充电器和适配器设计,提供稳定高效的输出。
  5. 工业自动化设备中的功率控制单元。
  6. 汽车电子系统,如电池管理系统(BMS)和逆变器。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5501
  AON6949

GA1210A681JXBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-